Jak długo może działać smartfon bez ładowania? Już wkrótce nawet tydzień

IBM i Samsung podejmują współpracę

IBM i Samsung Electronics wspólnie ogłosiły przełom w projektowaniu półprzewodników wykorzystujących nową architekturę tranzystorów pionowych (architekturę wertykalną), która jest ścieżką do skalowania poza nanoarkuszami i ma możliwość zmniejszenia zużycia energii o 85 procent w porównaniu ze skalowanym tranzystorem polowym (finFET)1. Brzmi bardzo technicznie ale w zasadzie chodzi o to, aby sprawić by produkowane półprzewodniki i tranzystory były inaczej projektowane, co pozwoli na większą wydajność.

Globalny niedobór półprzewodników uwydatnił kluczową rolę inwestycji w badania i rozwój chipów oraz ich znaczenie we wszystkim, od komputerów, przez urządzenia, po urządzenia komunikacyjne, systemy transportowe i infrastrukturę krytyczną. To wspólne podejście do innowacji sprawia, że ​​Albany Nanotech Complex, wiodący na świecie ekosystem badań nad półprzewodnikami tworzy silny strumień innowacji, pomagając sprostać wymaganiom produkcyjnym i przyspieszyć rozwój globalnego przemysłu chipów.

Rozwiązanie może być naprawdę przełomowe

Nowy przełom w dziedzinie tranzystorów pionowych może pomóc branży półprzewodnikowej w kontynuowaniu nieustającej drogi do wprowadzania znaczących ulepszeń. Dotyczy to m.in. potencjalnej architektury urządzenia, która umożliwia skalowanie urządzeń półprzewodnikowych poza nanoarkuszami. Co daje taka technologia?

Czy szybkie ładowanie smartfonów skraca żywotność akumulatora?Mikołaj Frączak

Przede wszystkim oznacza możliwość produkcji baterii do telefonów komórkowych, które mogą wytrzymać ponad tydzień bez ładowania, zamiast dni kilku dni. Dodatkowo zmniejszenie zapotrzebowania na energię i mniejszy ślad węglowy przy energochłonnych procesach jak operacje kopania kryptowalut czy blockchain i szyfrowanie danych. Ponadto technologia ma wspierać sam internet rzeczy (IoT) i urządzenia brzegowe, także pod kątem zmniejszenia zapotrzebowania na energię, umożliwiając im działanie w bardziej zróżnicowanych środowiskach. IBM wskazuje takie kierunki jak boje oceaniczne, pojazdy autonomiczne czy statki kosmiczne.

Na czym polega innowacja?

Mówiąc najprościej, ponieważ coraz więcej tranzystorów jest upchanych w ograniczonej przestrzeni, inżynierom zaczyna brakować miejsca. Historycznie rzecz biorąc, tranzystory budowano tak, aby leżały płasko na powierzchni półprzewodnika, a prąd elektryczny przepływał przez nie bocznie lub z boku na bok. Dzięki nowym tranzystorom w układzie wertykalnym, IBM i Samsung z powodzeniem wdrożyły tranzystory, które są zbudowane prostopadle do powierzchni chipa z pionowym przepływem prądu lub w górę i w dół.

Proces VTFET usuwa wiele barier wydajności i ograniczeń, aby rozszerzyć prawo Moore'a, ponieważ projektanci chipów próbują upakować więcej tranzystorów w ustalonej przestrzeni. Wpływa również na punkty styku tranzystorów, pozwalając na większy przepływ prądu przy mniejszej ilości marnowanej energii. Ogólnie rzecz biorąc, nowy projekt ma zapewnić dwukrotną poprawę wydajności lub 85-procentowe zmniejszenie zużycia energii w porównaniu ze skalowanymi alternatywami finFET1.

Dziękujemy, że przeczytałaś/eś nasz artykuł do końca. Jeśli chcesz być na bieżąco z informacjami za zakresu bezpieczeństwa, zapraszamy do naszego serwisu ponownie!
Jeżeli podobał Ci się artykuł podziel się z innymi udostępniając go w mediach społecznościowych.